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用真空蒸镀法制备了稀释磁性半导体Zn1-xFexSe多晶薄膜,用X射线衍射和电子扫描电镜测定了薄膜结构和成份.其光吸收数据表明:光学能隙Eg随着Fe2 成分x增加而线性减小,用线性回归法拟合得其关系.Eg=2.722-2.2x(eV).
稀释磁性半导体Zn1-xFexSe薄膜的光学特性
【摘 要】
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用真空蒸镀法制备了稀释磁性半导体Zn1-xFexSe多晶薄膜,用X射线衍射和电子扫描电镜测定了薄膜结构和成份.其光吸收数据表明:光学能隙Eg随着Fe2 成分x增加而线性减小,用线性回归法拟合得其关系.Eg=2.722-2.2x(eV).
【机 构】
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山东师范大学半导体所,济南250014山东师范大学计算机中心,济南250014
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1993年13期
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