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利用光致发光技术对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延未故意掺杂的GaN进行发光特性的研究,发现在室温下有很强的黄光输出,同时,采用扫描电子显微术和X光衍射对样品的表面形貌和结构进行了研究,结果发现,随着缺陷密度的减少,黄光输出强度也有所降低,因此,黄光输出强度与缺陷有很大的关系.
SiC衬底上异质外延GaN薄膜结构缺陷对黄光辐射的影响
【摘 要】
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利用光致发光技术对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延未故意掺杂的GaN进行发光特性的研究,发现在室温下有很强的黄光输出,同时,采用扫描电子显微术和X光衍射对样品的表面形貌和
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院,西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2003年11期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)，国防预研基金
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