【摘 要】
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意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK(TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管,其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超结MOSFET。电视和PC
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意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK(TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管,其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超结MOSFET。电视和PC等设备常用的开放式电源表面很容易聚集尘土和粉尘,导致功率晶体管引脚之间产生高压电弧放电现象,TO-220FP宽爬电间距封装是这类
STMicroelectronics (STMicroelectronics) introduced a series of power transistors in TO-220 FullPAK (TO-220FP) wide creepage pitch packages, including the world’s first 1500V superjunction MOSFET in an arc-proof package. Commonly used open-source surfaces such as TVs and PCs can easily collect dirt and dust, causing high-voltage arcing between the power transistor pins, and wide-pitch TO-220FP packages are of this type
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主观极量表达不仅包括极性程度量,还包括极性动作量。本文讨论表主观极量的“X到不能再X”结构的句法、语义特点,并分析其衍生动因与机制,还将“X到不能再X”结构与“X得不能
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