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In掺杂对Cd0.8Mn0.2Te巨法拉第效应的影响

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hhww541

【摘 要】

：

常温下测量了Cd0.8Mn0.2Te晶片和多个掺In浓度不同的Cd0.8Mn0.2Te（以下简称Cd0.8Mn0.2Te：In）晶片的法拉第旋转谱和吸收边附近的透射光谱。结果表明，随着入射光子能量的增大，Cd0.8M

【作 者】

：

栾丽君 介万奇 张继军 

【机 构】

：

西北工业大学

【出 处】

：

稀有金属材料与工程

【发表日期】

：

2008年12期

【关键词】

：

Cd0.8Mn0.2Te:In 法拉第旋转谱 Verdet常数 交换相互作用 Cd0.8Mn0.2Te：In Faraday rotation spectrum 

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常温下测量了Cd0.8Mn0.2Te晶片和多个掺In浓度不同的Cd0.8Mn0.2Te（以下简称Cd0.8Mn0.2Te：In）晶片的法拉第旋转谱和吸收边附近的透射光谱。结果表明，随着入射光子能量的增大，Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.8Mn0.2Te：In的Verdet常数随之增大。掺In晶片的Verdet常数的变化与掺杂浓度有关：当光子能量在1．63～1．72eV范围内逐渐增加时，未掺In的测量值的变化范围是710～1820（°）／cm·T；当In浓度为8．96×10^

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