【摘 要】
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We fabricate high-quality A1/A1O_x/A1 junctions using improved bridge and bridge-free techniques at 30-keV e-beam voltage,in which the length of undercut and th
【机 构】
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National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Physics, Nanjing University,Synergetic
【出 处】
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Chinese Physics B
论文部分内容阅读
We fabricate high-quality A1/A1O_x/A1 junctions using improved bridge and bridge-free techniques at 30-keV e-beam voltage,in which the length of undercut and the size of junction can be well controlled by the pre-exposure technique.The dose window is 5 times as large as that used in the usual Dolan bridge technique,making this technique much more robust.Similar results,comparable with those achieved using a 100-keV e-beam writer,are obtained,which indicate that the 30-keV e-beam writer could be an economic choice for the superconducting qubit fabrication.
We fabricate high-quality A1 / A1O_x / A1 junctions using improved bridge and bridge-free techniques at 30-keV e-beam voltage, where the length of undercut and the size of junction can be well controlled by the pre-exposure technique. The dose window is 5 times as large as that used in the usual Dolan bridge technique, making this technique much more robust.Similar results, comparable with those achieved using a 100-keV e-beam writer, are obtained, which indicates that the 30 -keV e-beam writer could be an economic choice for the superconducting qubit fabrication.
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