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与时间相电介质击穿（ＴＤＤＢ）测量是评估工步于２０ｎｍ薄栅介质层质量的重要方法，氧化层击穿前，隧穿电子和空穴在氧化层中或界面产生陷阱、界面态，当陷阱密度超过临界平均值ρｂｄ时，发生击穿，，击穿电量Ｑｂｄ值表征了介支的质量，Ｑｂｄ值及其失效统计分布与测试电流密度、电场强度、温度等化层面积等有定量关系。ＴＤＤＢ的早期失效分布可以反映工艺引入的缺陷、ＴＤＤＢ可以直接评估氧化、氮化、清洗、刻蚀等工艺对厚度