Al_2O_3/SiN_X 双层绝缘栅 a-Si : H TFT 的研究

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研究Al2O3/SiNx双层绝缘栅对a-Si:H TFT性能的影响,介绍Al2O3/SiNx层双绝缘栅的制作方法,双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应,改善了短接现象,提高了有效介电常数,从而可减小膜厚,提高栅电容,使得阈值电压降低,开态电流上升,获得了10^7的开关电流比。
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