论文部分内容阅读
研究Al2O3/SiNx双层绝缘栅对a-Si:H TFT性能的影响,介绍Al2O3/SiNx层双绝缘栅的制作方法,双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应,改善了短接现象,提高了有效介电常数,从而可减小膜厚,提高栅电容,使得阈值电压降低,开态电流上升,获得了10^7的开关电流比。