【摘 要】
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设计了一款用于驱动有源功率因数校正外部功率MOSFET的驱动电路.该电路包括电平移位和图腾柱输出级两个部分.电平移位采用电流镜结构,通过控制偏置电流降低电路功耗.图腾柱输
【机 构】
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西安电子科技大学超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室,西安电子科技大学电路设计研究所,上海卫星工程研究所
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设计了一款用于驱动有源功率因数校正外部功率MOSFET的驱动电路.该电路包括电平移位和图腾柱输出级两个部分.电平移位采用电流镜结构,通过控制偏置电流降低电路功耗.图腾柱输出级通过加入死区时间降低功耗,并将高压P管的栅电压箝位在6V和11V之间,不仅能够降低功耗,也节省了版图面积.基于0.4μm BCD工艺,采用HSPICE仿真结果表明,在VDD为14V,开关频率为75 kHz时,整体电路的功耗约为7.34mW,并节约了15%的版图面积.
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