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采用硅粉和金刚石微粉为原料,在氩气保护的管式气氛炉中烧结制备得到金刚石/碳化硅（Dia-mond/SiC）陶瓷复合材料。结果表明：硅粉与金刚石的混合料,在1410℃进行气氛烧结后,物相图谱中并未有 SiC 的特征峰出现；烧结温度为1450℃时,在金刚石表面会有 SiC 物相生成,且随温度提高,金刚石/碳化硅（Diamond/SiC）陶瓷复合材料产物中碳化硅的含量也会相应增加。在硅粉与金刚石微粉的混合料中,添加适量的铝粉（7wt%）,然后在1300℃、1350℃和1410℃氩气保护气氛条件下进行烧结,均有