【摘 要】
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本文采用Mossbauer谱学方法以及其它手段对FeCuNbSiB薄膜样品在退火过程中出现的巨磁阻抗效应发生显著变化的原因进行了探讨.研究表明,样品在退火过程中除了生长纳米晶粒α一
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本文采用Mossbauer谱学方法以及其它手段对FeCuNbSiB薄膜样品在退火过程中出现的巨磁阻抗效应发生显著变化的原因进行了探讨.研究表明,样品在退火过程中除了生长纳米晶粒α一FeSi相对提高材料的软磁性能有利外,同时随退火温度变化样品中磁矩分布方向会发生重取向.由制备态到570℃退火温度期间,薄膜样品磁矩取向发生由平行于平面为主变为垂直为主,而后再转变为平行为主.这些因素对多层膜巨磁阻抗效应的变化会产生重要影响,尤其当磁矩在垂直于平面方向分布占优势时,磁阻抗效应会显著下降.
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