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用磁控溅射法制备了Ｔａ２Ｏ５薄膜，再用Ｃ－Ｖ法和ＪＦＥＴ外接薄膜电极法研究其稳定性和离子响应灵敏度。实验发现，在纯氧中沉积的厚２００ｎｍＴ２Ｏ５薄膜有较高的离子响应灵敏度，实验发现，在纯氧中沉积的厚２００ｎｍＴ２Ｏ５薄膜有较高的离子响应灵敏度和良好的稳定性。
Ta2O5薄膜的离子敏感特性
【摘 要】
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用磁控溅射法制备了Ｔａ２Ｏ５薄膜，再用Ｃ－Ｖ法和ＪＦＥＴ外接薄膜电极法研究其稳定性和离子响应灵敏度。实验发现，在纯氧中沉积的厚２００ｎｍＴ２Ｏ５薄膜有较高的离子响应灵敏度，实验发现，在纯氧中沉积的厚２００ｎｍＴ２Ｏ５薄膜有较高的
【机 构】
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东南大学
【出 处】
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材料研究学报
【发表日期】
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1994年5期
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