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本文在测试分析N+理层—隧道氧化层一多晶硅电容（N+OP电容）、P衬底一隧道氧化层一多晶硅电容（POP电容）和EEPROM单元隧道氧化层电容（TOP电容）的I－V特性、I－t特性、V－t特性的基础上，对隧道氧化层的击穿特性进行了理论分析，并提出了提高隧道氧化层可靠性的具体措施。
超薄氧化层的电击穿特性
【摘 要】
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本文在测试分析N+理层—隧道氧化层一多晶硅电容（N+OP电容）、P衬底一隧道氧化层一多晶硅电容（POP电容）和EEPROM单元隧道氧化层电容（TOP电容）的I－V特性、I－t特性、V－t特性的基础上，对隧
【机 构】
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中国华晶电子集团公司中央研究所!无锡,214035
【出 处】
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微电子技术
【发表日期】
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1999年01期
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