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采用第一性原理模拟计算方法，从原子层面出发，了解InN的生长动力学行为．通过计算N和In原子于不同覆盖度下In极性表面的top、h3以及t4位置上的形成能和扩散势垒，了解沉积原子的相互作用和成核．结果表明，In原子比N原子更容易在干净的In极性表面吸附、粘接，并通过扩散找到稳定位置，形成一个较致密的双In原子层．模拟计算了N和In原子在双In原子层和三In原子层表面的扩散，结果显示，在稳定的双In原子层上，N原子将通过垂直扩散穿过顶部In原子层，并在两In原子层表面之间横向扩散，形成纤锌矿结构的InN材料