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InAs／GaSbII类超晶格作为红外探测材料具有优越的光电性能，其量子效率高，暗电流小，微带带隙可调，是第三代红外焦平面探测器的最优选材料。本文对长波段超晶格材料分子束外延技术进行了优化，设计了“两步法”界面控制技术，制备了高质量的77K光致发光（PL）、发光波长为8．54μm的长波段超晶格材料。研究了表面迁移率增强法外延长波段超晶格的缺陷形成机制和应变平衡机制，发现InSb界面在低温生长及过量淀积的情况下存在二维生长的特性。在上述方法基础上外延长波段超晶格红外探测器材料，利用标准工艺技术成功制备长波段