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分析了中子辐照诱导SiPIN光电二极管暗电流增大现象的机理，建立了SiPIN光电二极管的器件物理模型和中子辐照效应模型。运用MEDICI软件进行数值模拟计算，得出了1MeV中子在辐照注量为10^10～10^14cm。时，SiPIN光电二极管暗电流变化的初步规律。数值模拟结果与相关文献给出的实验结果吻合较好。