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从材料的生长、器件结构的选择等方面对1.55μm锗硅光电探测器的研究进展进行了综述,对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望.
1．55μm Si基光电探测器的研究进展
【摘 要】
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从材料的生长、器件结构的选择等方面对1.55μm锗硅光电探测器的研究进展进行了综述,对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
：
半导体光电
【发表日期】
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2003年2期
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