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为了准确地实现Ti—Si-N纳米复合薄膜生长过程动力学蒙特卡罗（KMC）4g4tb，采用简单原子之间的有效势拟合了第一性原理计算单粒子在TIN（001）表面的吸附作用和迁移行为。通过计算分别获得Ti、Si、N单粒子沉积在TIN（001）表面有效势的计算参数a、r0和u0。Ti、Si、N单粒子在TIN（001）表面吸附能和迁移激活能拟合相对误差均小于5％，Ti、Si、N单粒子在TiN（001）．gN2N2Ti岛迁移激活能相对误差小于10％。对势Morse势可以描述简单键性的作用力，对于较复杂的键性其计算原子