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两种行之有效的晶粒间界限制技术:热沉结构和硅槽结构使区熔再结晶SOI实现定域无缺陷,这是采用区熔技术制备SOI的技术关键和难点所在。本文讨论了两种结构限制晶界的机理。
定域无缺陷SOI的制备
【摘 要】
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两种行之有效的晶粒间界限制技术:热沉结构和硅槽结构使区熔再结晶SOI实现定域无缺陷,这是采用区熔技术制备SOI的技术关键和难点所在。本文讨论了两种结构限制晶界的机理。
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所北京100084,北京100084
【出 处】
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微细加工技术
【发表日期】
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1992年3期
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