【摘 要】
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单晶半导体材料的垂直生长都使用了Bridgman法.在晶体生长过程中对固液界面的位置和形状进行监测虽十分重要却相当困难.该文探讨了根据许多半导体材料的电导率在固态与液态时
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单晶半导体材料的垂直生长都使用了Bridgman法.在晶体生长过程中对固液界面的位置和形状进行监测虽十分重要却相当困难.该文探讨了根据许多半导体材料的电导率在固态与液态时相差很大这一特性来监测碲化镉晶体生长的涡电流技术的可行性,并在此基础上提出了一种新的描述晶体界面位置变化的冷态模拟方法,并经实验证实该方法可成功地描述晶体界面的位置及形状的变化.
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