【摘 要】
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本文讨论和比较了以真空蒸发技术制备的ZnS、SiO2和LB技术制备的花生酸（Axachidic Acid）高分子层为介电层的薄膜电容的电容量、损耗角和击穿特性,并对这些电学特性作出了合理的
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本文讨论和比较了以真空蒸发技术制备的ZnS、SiO2和LB技术制备的花生酸（Axachidic Acid）高分子层为介电层的薄膜电容的电容量、损耗角和击穿特性,并对这些电学特性作出了合理的定性解释。结果表明,以LB技术制备的高分子薄膜电容在各种电学特性上具有优越的性能,为提高薄膜电容器的性能开拓了一条新的途径。
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