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Al组分对AlGaN/GaN量子级联激光器性能的影响
Al组分对AlGaN/GaN量子级联激光器性能的影响
来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sun0603
【摘 要】
:
通过对激光器一个周期单元的一维薛定谔方程与泊松方程进行自洽求解,得到了能带与电子波函数的分布情况,并且计算了在近共振条件下偶极跃迁元与垒层Al组分的关系,得到了Al组分的
【作 者】
:
陈贵楚
范广涵
【机 构】
:
华南师范大学光电子材料与技术研究所,肇庆学院物理系
【出 处】
:
发光学报
【发表日期】
:
2009年4期
【关键词】
:
量子级联激光器
AL组分
偶极跃迁元
QCL
A1 composition
dipole matrix mement
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通过对激光器一个周期单元的一维薛定谔方程与泊松方程进行自洽求解,得到了能带与电子波函数的分布情况,并且计算了在近共振条件下偶极跃迁元与垒层Al组分的关系,得到了Al组分的优化结果。结果表明,垒层材料的Al组分大约等于0.15时激光器的偶极跃迁元最大,此时激光器处于垂直跃迁工作状态。
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