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以中国第Ⅱ号快中子脉冲反应堆（CFBR-Ⅱ）为试验平台,采用高功率稳定和多注量点拟合的试验方法测定了典型硅整流二极管的中子辐照实验损伤常数,验证了硅整流二极管的中子辐射损伤规律。试验结果表明：以正向压降为观测效应参数的硅整流二极管对于CFBR-Ⅱ堆泄漏中子能谱的试验损伤常数在3～4×10^-15 V·cm^2范围,硅整流二极管正向压降随中子注量的变化近似遵从指数增长规律。