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SiO2磁控反应溅射是根据靶电源电压来调整镀膜室中O2的含量,由于靶电源反馈信号产生的误差和延时,会使SiO2成膜率不高和靶表面＂中毒＂。本文介绍一种使用模糊控制的方法,根据检测SiO2发光光谱,控制具有高速反应的压电陶瓷阀,进而调节反应溅射中参与反应的O2含量,从而达到控制SiO2成膜的效果。这种方法不仅提高了SiO2的成膜率,而且有效防止了靶表面产生的＂中毒＂反应。