基于负电容补偿技术的CMOS低噪声放大器设计

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利用负电容电路补偿技术,设计了一个工作于2.4GHz频段的差分低噪声放大器。基于CHRT 0.25μm RF CMOS工艺,对电路进行仿真。与传统的共源共栅结构相比,引入负电容电路对共源管的栅漏寄生电容进行补偿,可以使放大器的匹配度、噪声系数、线性度等关键性能指标得到显著改善。仿真结果显示,该放大器的正向功率增益为17.7dB,噪声系数为1dB,IIP3为-4.9dBm,功耗为25mW,具有良好的输入输出匹配。 Using the negative capacitance circuit compensation technique, a differential low-noise amplifier operating in the 2.4GHz band is designed. Based on the CHRT 0.25μm RF CMOS process, the circuit is simulated. Compared with the traditional cascode structure, the negative capacitance circuit is introduced to compensate the gate-drain parasitic capacitance of the common-source transistor, which can significantly improve the key performance indicators such as matching degree, noise figure and linearity of the amplifier. The simulation results show that the amplifier has a positive power gain of 17.7dB, a noise figure of 1dB, IIP3 of -4.9dBm and a power consumption of 25mW, with good input-output matching.
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