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α-SiC粉末为原料,Si为助烧剂,采用适当的热压烧结工艺,在1800℃,25MPa条件下获得了致密的SiC块体陶瓷,其抗弯强度为253MPa.
热压烧结工艺制备Si／SiC陶瓷的研究
【摘 要】
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α-SiC粉末为原料,Si为助烧剂,采用适当的热压烧结工艺,在1800℃,25MPa条件下获得了致密的SiC块体陶瓷,其抗弯强度为253MPa.
【机 构】
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深圳大学,西北工业大学,深圳大学
【出 处】
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广东化工
【发表日期】
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2005年3期
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