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该文采用四硼酸锂晶片制作了高频（1.1 GHz）声表面波滤波器,插入损耗3.7 dB,带宽3.8 MHz,带外抑制大于50 dB.阐述了器件的设计及工艺过程,对晶片表面处理、器件制作、SiO2保护膜、器件的温度特性等进行了实验分析,并讨论了在器件设计中需考虑的因素.实验结果表明,采用于法刻蚀工艺能获得良好的叉指电极形貌.在器件表面加镀SiO2保护膜能提高器件可靠性及温度稳定性.