【摘 要】
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英特尔推出了一个高速16K比特的静态RAM(随机存取存贮器)系列,这些静态RAM是采用该公司的新双金属CHMOSⅢ~*工艺制造的。英特尔专有的CHMOS(Complementary High Performance
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英特尔推出了一个高速16K比特的静态RAM(随机存取存贮器)系列,这些静态RAM是采用该公司的新双金属CHMOSⅢ~*工艺制造的。英特尔专有的CHMOS(Complementary High Performance Metal-Oxide Semiconductor互补高性能金属氧化物半导体)工艺使新的51C66高速静态RAM的存取时间快达仅25ns,而新的51C67可达35ns。据英特尔静态RAM器件销售经理Jesse Huffman称,这两种器件的功耗
Intel introduced a family of high-speed, 16Kbit static RAM (Random Access Memory) manufactured using the company’s new dual-metal CHMOS III ~ * process. Intel’s proprietary CHMOS (Complementary High Performance Metal-Oxide Semiconductor) process enables the new 51C66 high-speed static RAM to be accessed in as little as 25ns while the new 51C67 achieves 35ns. According to Jesse Huffman, Static RAM Device Sales Manager at Intel, the power consumption of both devices
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