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利用X射线光电子能谱技术，建立了硅片表面超薄氧化硅层厚度（小于10nm）准确测量方法。中国计量科学研究院参加了国际关键比对CCQM—K32，根据公布的国际关键比对结果，中国计量科学研究院的测量结果与参比的各国国家计量研究院的测量结果达到了等效一致，测量结果的不确定度为4．6％～7．0％。
硅片表面超薄氧化硅层厚度测量关键比对CCQM—K32
【摘 要】
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利用X射线光电子能谱技术，建立了硅片表面超薄氧化硅层厚度（小于10nm）准确测量方法。中国计量科学研究院参加了国际关键比对CCQM—K32，根据公布的国际关键比对结果，中国计量科学研
【机 构】
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中国计量科学研究院,中国科学院化学研究所
【出 处】
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计量学报
【发表日期】
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2013年6期
【基金项目】
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国家科技基础条件平台建设项目（2005DKAl0800/2005DKAl0806）,质检公益性行业科研专项项目（10-199）
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