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简要介绍宽禁带半导体氮化镓材料的生长，微波电子器件的物理特性、制造工艺和微波性能。
氮化镓微波电子学的进展
【摘 要】
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简要介绍宽禁带半导体氮化镓材料的生长，微波电子器件的物理特性、制造工艺和微波性能。
【机 构】
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电子部第十三所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1999年3期
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