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利用脉冲激光沉积技术在Nb：SrTiO3（0．8wt％，0．05wt％）基片上生长了外延的La1.875Sr0.125CuO4薄膜，并在此基础上制备了异质结．异质结在很宽的温度范围内都表现出明显的整流特性，且Nb：STO基片的Nb掺杂浓度越低，异质结的整流效果就越明显．
La1.875Sr0.125CuO4／Nb：SrTiO3（0.8wt％，0.05wt％）异质结的制备及J—V特性的研究
【摘 要】
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利用脉冲激光沉积技术在Nb：SrTiO3（0．8wt％，0．05wt％）基片上生长了外延的La1.875Sr0.125CuO4薄膜，并在此基础上制备了异质结．异质结在很宽的温度范围内都表现出明显的整流特性，且Nb：STO基片
【机 构】
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山西大同大学物理与电子科学学院
【出 处】
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山西大同大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2009年2期
【基金项目】
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山西省自然科学基金[2009011003-1],山西大同大学科研项目[2007QLO].
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