【摘 要】
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采用恒电流电化学技术直接在金属钨片上制备了具有白钨矿结构的钨酸锶（SrWO4）晶态薄膜,通过SEM和EDX测试分析方法,研究了薄膜在不同的生长阶段（包括薄膜从最初成核并开始生长,到
【机 构】
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四川大学材料科学与工程学院材料科学系,四川教育学院物理系,四川大学分析测试中心
【基金项目】
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This work supported by National Natural Science Foundation of China （No. 50410179）
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采用恒电流电化学技术直接在金属钨片上制备了具有白钨矿结构的钨酸锶（SrWO4）晶态薄膜,通过SEM和EDX测试分析方法,研究了薄膜在不同的生长阶段（包括薄膜从最初成核并开始生长,到薄膜布满整个基片,即薄膜生长结束）的生长特性。研究结果表明,SrWO4晶核和晶粒优先选择在基片的缺陷处堆砌生长,在薄膜生长的初期,一定数量的WO4负离子配位多面体沉积在基片上并形成具有白钨矿结构的骨架,继而Sr^2＋对该骨架进行填充,由此形成晶核和晶粒;随着沉积时间的延长,晶粒密度不断增大,晶核和晶粒也不断长大,并沿着c轴生长的
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