【摘 要】
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铜具有低电阻率和高抗电迁移性,是目前极大规模集成电路的主流金属互连材料.化学机械抛光(CMP)是实现铜表面局部与全局平坦的关键工艺.为获得铜互连较高的凹凸材料去除速率选
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院,天津300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津300130
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铜具有低电阻率和高抗电迁移性,是目前极大规模集成电路的主流金属互连材料.化学机械抛光(CMP)是实现铜表面局部与全局平坦的关键工艺.为获得铜互连较高的凹凸材料去除速率选择比,通常需在CMP抛光液中加入缓蚀剂苯并三唑(BTA),而CMP后铜表面的BTA残留需要在后续的清洗工艺中进行有效的去除.对铜互连CMP中BTA对铜的腐蚀抑制机理的研究进行了归纳分析,并对BTA与其他试剂协同抑制铜腐蚀的研究进行了讨论,进而论述了碱性清洗液对Cu-BTA络合物去除的研究进展,并概述了新型缓蚀剂的研究现状,最后对缓蚀剂未来的研究方向进行了展望.
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