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以磁控溅射法沉积在单晶硅片上的钛薄膜样品为工作电极，以循环伏安法为阳极氧化方式，研究极低电位下钛表面氧化膜的生长与结晶行为。通过AFM、SE和XPS等手段表征钛表面阳极氧化膜的表面形貌、结晶性和化学组成。结果表明，即使在低至1000mV的电位下，所形成的阳极氧化钛薄膜也是结晶的，而不是无定型的。升高氧化电位或者降低电位扫描速率都有利于钛氧化膜的形成和结晶。认为，在极低的电位下，产生于氧化膜／金属界面的内在压应力是导致钛氧化物结晶形成的主要原因，而不是被研究者们所普遍接受的焦耳热。