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本文论述用于机械密封的硅化石墨。该材料是通过石墨在１８００－２１００℃高温中与一氧化硅反应而制成的。一氧化硅则碳化硅与硅石或者氮化硅与硅石在１５００－１８００℃高温中采用速率控制方法生成。
SiC涂层石墨的机械密封及其工艺—控制SiO生成速率法
【摘 要】
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本文论述用于机械密封的硅化石墨。该材料是通过石墨在１８００－２１００℃高温中与一氧化硅反应而制成的。一氧化硅则碳化硅与硅石或者氮化硅与硅石在１５００－１８００℃高温中采用速率控制方法生成。
【出 处】
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电碳
【发表日期】
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1997年2期
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