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随着第二代半导体的逐渐落后,Ⅲ族氮化物半导体作为具有优良性质的最新一代的半导体材料,已经登上历史的舞台。综述重点归纳了以BN、AlN、GaN、InN为代表的Ⅲ族氮化物纳米材料的典型制备方法、目前的应用现状,并对存在的问题加以总结。
Ⅲ族氮化物半导体材料的制备及应用研究进展
【摘 要】
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随着第二代半导体的逐渐落后,Ⅲ族氮化物半导体作为具有优良性质的最新一代的半导体材料,已经登上历史的舞台。综述重点归纳了以BN、AlN、GaN、InN为代表的Ⅲ族氮化物纳米材
【机 构】
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长安大学环境科学与工程学院
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2019年7期
【基金项目】
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国家自然基金面上项目(41472220),陕西省自然科学基金(2017JM2014).
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