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基于南京电子器件研究所的0.5μm GaN HEMT工艺平台,研制了一款2~5 GHz宽带固态功率放大器。采用低通L-C匹配网络消除虚部阻抗,并利用λ/4线实现宽带实阻抗到目标阻抗50Ω的匹配,最后通过3 dB Lange耦合器实现宽带平衡式功率合成设计。测试结果表明,功放在48 V漏电压、1 ms周期、10%射频脉冲时,在2~5GHz频带内,输出功率大于50 dBm(100 W),最高输出功率达到51.2 dBm(132 W),最大功率附加效率52%,合成效率典型值大于85%,二次谐波抑制度大于18 d