【摘 要】
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为提高PHEMT性能,从改进PHEMT结构出发,采用介质栅器件结构,研制了0.25μm介质栅PHEMT器件,并与Win公司生产的0.25μm非介质栅器件的频率特性、开态击穿和功率特性进行了比较
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为提高PHEMT性能,从改进PHEMT结构出发,采用介质栅器件结构,研制了0.25μm介质栅PHEMT器件,并与Win公司生产的0.25μm非介质栅器件的频率特性、开态击穿和功率特性进行了比较。介质栅器件选用了合适的栅凹槽的宽度和掺杂浓度,提高了开态击穿电压。这意味着可以在更高的电压下稳定的工作而不被烧毁。0.25μm介质栅器件的截止频率达到19GHz,开态击穿电压超过11V,功率密度超过1W/mm,表现出了较非介质栅器件更为优异的功率性能。最后分析了介质栅器件的优势和有待改进的方向,优化器件栅凹槽形貌,
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