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以CdCl2·2．5H2O为镉源，Na2SeSO3为硒源，柠檬酸钠为络合剂，采用超声注射喷雾热分解法制备了CdSe薄膜。并用XRD、uuVis、AFM等方法对其进行了表征。结果表明，所制备的薄膜为n型半导体，在可见光区有较高的吸收，可以获得较好的光电流。应用超声注射喷雾热分解法制备CdSe薄膜的优化条件为：基板温度为300℃，络合剂比例为1：2，酸度为9，喷雾速度为0．3mL／min，退火温度为350℃。新的制备薄膜装置采用注射超声雾化手段，克服其雾化不均问题。