基于锗硅BiCMOS工艺的低噪声差分放大器设计

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针对无线局域网前端接收机2.5GHz的应用,提出了一种硅锗工艺低噪声差分放大器.采用差分级联放大器结构既能抑制输入端的共模噪声信号,又能因级联结构的高增益而抑制电路的噪声,确保电路的高性能;同时选用JAZZ 0.35μm 1P4M锗硅BiCMOS工艺来制作.该放大器能有效地提供了50!输入阻抗匹配且具备良好的温度特性.在频点2.5GHz时,放大器的最大小信号电压增益为29.1dB,噪声系数1.3dB,输入/输出回波损耗都优于-11dB,输入3阶交调点为-0.24dBm.在直流电源电压3V供应下,低噪声放大
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