【摘 要】
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应用简单的直流测量,建立可供了解双栅砷化镓场效应晶体管性能的图解法。器件对称性不是必要条件。
Use simple DC measurements to build graphical solutions for underst
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应用简单的直流测量,建立可供了解双栅砷化镓场效应晶体管性能的图解法。器件对称性不是必要条件。
Use simple DC measurements to build graphical solutions for understanding the performance of dual-gate GaAs FETs. Device symmetry is not a requirement.
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