【摘 要】
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采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
【基金项目】
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国家863计划项目(No.2004AA513020)
论文部分内容阅读
采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制C IGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使C IGS薄膜带隙呈现抛物线状分布,电池的量子效率得到明显提高,制备出的C IGS薄膜电池开路电压与转换效率都得到很大程度的改善,电池最高转换效率已达9.4%。
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