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为解决半导体桥工程应用中出现的问题,根据半导体桥作用机理,对影响半导体桥芯片性能的因素,如Si O2层厚度、电极材料及厚度、桥区形状等进行了实验研究和分析,并提出工艺控制措施。研究结果对半导体桥芯片的制作技术具有参考意义。
半导体桥芯片性能影响因素的研究
【摘 要】
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为解决半导体桥工程应用中出现的问题,根据半导体桥作用机理,对影响半导体桥芯片性能的因素,如Si O2层厚度、电极材料及厚度、桥区形状等进行了实验研究和分析,并提出工艺控
【机 构】
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贵州久联民爆器材发展股份有限公司
【出 处】
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火工品
【发表日期】
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2015年4期
【基金项目】
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民爆半导体雷管研改建平台建设（051033）
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