【摘 要】
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用与InP匹配的GaInAsP(λ_g(?)1.33μm)制作了一种所谓P-p-I-N结构的新型光电二极管。在-20V偏压下,在InP中2μm厚的I区完全耗尽。在这个偏压下,对面积为0.8×10~(-4)cm~2的
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用与InP匹配的GaInAsP(λ_g(?)1.33μm)制作了一种所谓P-p-I-N结构的新型光电二极管。在-20V偏压下,在InP中2μm厚的I区完全耗尽。在这个偏压下,对面积为0.8×10~(-4)cm~2的二极管,电容小于0.5pF,暗电流小于10pA,内量子效率接近100％和响应时间小于200ps。对面积为1.5×10~(-4)cm~2的二极管,在-20V下测得暗电流为3.5pA。相应的电流密度(J_D<2.5×10~(-8)A/cm~2)是目前报导的用GaInAsP合金所作器件的最小值。
A new type of photodiode with a so-called P-p-I-N structure was fabricated using GaInAsP (λ_g (?) 1.33 m) matched to InP. At -20 V bias, a 2 μm thick I region was completely depleted in InP. Under this bias, a diode with an area of 0.8 × 10 -4 cm 2 has a capacitance of less than 0.5 pF, a dark current of less than 10 pA, an internal quantum efficiency of nearly 100% and a response time of less than 200 ps. For a diode with an area of 1.5 × 10 ~ (-4) cm ~ 2, a dark current of 3.5pA was measured at -20V. The corresponding current density (J_D <2.5 × 10 -8 A / cm ~ 2) is the lowest reported value of the device made of GaInAsP alloy.
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