【摘 要】
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在单晶硅基片上用磁控溅射法制备ZrW2O8/Cu梯度薄膜。用X射线衍射分析薄膜的物相组成,用原子力显微镜和扫描电镜对薄膜的表面形貌进行观察和分析,利用X射线光电子能谱技术对
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在单晶硅基片上用磁控溅射法制备ZrW2O8/Cu梯度薄膜。用X射线衍射分析薄膜的物相组成,用原子力显微镜和扫描电镜对薄膜的表面形貌进行观察和分析,利用X射线光电子能谱技术对薄膜中各元素沿深度的分布情况进行检测。结果表明：溅射所得薄膜为非晶态钨酸锆与氧化铜的复合薄膜,快速热处理和氢气还原后得到立方相钨酸锆与铜的复合薄膜,在760℃下热处理钨酸锆的结晶度最好,而在740℃热处理的薄膜质量最佳,薄膜中各成分沿厚度方向呈梯度分布。
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