等效厚度评估GaAs MMIC的Si3N4电容可靠性

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wqhao2

【摘要】

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通过不同 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容结构, 运用 TDDB理论研究分析了斜坡电压下的 MIM Si3N4电容的导电特性和击穿特性,确定了 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容失效不是介质本征

【作者】

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黄云钮利荣林丽

【机构】

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电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,南京电子器件研究所,华南理工大学应用物理系

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2004年4期

【关键词】

：

Si3N4电容等效厚度评估可靠性 Si_3N_4 capacityequivalent thicknessev aluatereliability

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通过不同 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容结构, 运用 TDDB理论研究分析了斜坡电压下的 MIM Si3N4电容的导电特性和击穿特性,确定了 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容失效不是介质本征击穿导致失效,而主要是由 Si3N4 介质的缺陷引起.基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等效厚度模型评估和监测 GaAs MMIC的 Si3N4介质电容的质量和可靠性的新方法,可以用于工艺生产线实现对 Si3N4介质电容的质量和可靠性进行快速评估和监测.

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