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新型电力半导体器件-绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种集高频率、高电压、大电流于一身的新一代理想的电力半导体器件，是电力电子技术的第三次革命的代表产品，填补国内电力电子空白的产品。
电力电子市场预测
【摘 要】
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新型电力半导体器件-绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种集高频率、高电压、大电流于一身的新一代理想的电力半导体器件，是电力电子技术的
【出 处】
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变频器世界
【发表日期】
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2005年1期
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