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超结结构突破了传统功率MOS器件的理论极限，被誉为功率MOS器件的里程碑器件。本文对超结领域全球的相关专利技术进行分析，从申请趋势、区域分布、主要申请人等多个角度进行深入挖掘，梳理超结技术的现状及发展趋势。
超结领域的全球专利技术分析
【摘 要】
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超结结构突破了传统功率MOS器件的理论极限，被誉为功率MOS器件的里程碑器件。本文对超结领域全球的相关专利技术进行分析，从申请趋势、区域分布、主要申请人等多个角度进行深入
【机 构】
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国家知识产权局专利局专利审查协作天津中心
【出 处】
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河南科技
【发表日期】
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2017年16期
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