兼顾增益和折射率变化的低偏振混合应变多量子阱结构研究

来源 :光学与光电技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wzsman
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对比分析了单量子阱TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随应变、阱宽的变化规律,同时分析了应变和阱宽对兼顾增益和折射率变化的影响.进一步考虑波导的光学限制因子及多量子阱阱间载流子浓度分布的不均匀性,提出一种多参数调配方法,据此设计出C波段内兼顾增益谱和折射率变化谱的低偏振混合应变多量子阱结构.最后,通过分析选定合适的载流子浓度.当载流子浓度为3.22× 1024m-3时,TE模和TM模3 dB谱宽交叠区面积分别为84.81 nm/cm和74.50 nm/cm,增益偏振相关性和折射率偏振相关性分别保持在4%和6%以内.该研究结果有助于未来全光网络中相关器件的优化设计.
其他文献
采用单因素优化法对沉积条件进行优化以获得低电阻率的银薄膜.研究了溅射功率、气压和衬底温度对银薄膜的电阻率和沉积速率的影响.结果表明:低功率和高气压有利于降低电阻率.