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采用两步合成工艺，制备了新型Bi1/2Na1/2Ti1-x（Zn1/3Nb2/3）xO3（简称BNTZN-100x）系无铅压电陶瓷。研究了B位复合离子（Zn1/3Nb2/3）^4＋取代量对BNT陶瓷介电及压电性能的影响。结果表明：当0．005≤x≤0．020时，该体系陶瓷具有三方、四方共存的准同型相界（MPB）结构。在MPB附近，具有较佳的压电性能：xX为0．020时，d33为97pC／N，kt为0．47。εr-t曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征。具有高kt值，低kp值；kt／kp较大，具有较大的