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采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的C轴择优取向AlN薄膜.
C轴择优取向AlN薄膜的制备研究
【摘 要】
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采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基
【机 构】
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湖北大学物理学与电子技术学院湖北大学物理学与电子技术学院武汉
【出 处】
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四川大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2005年S1期
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